2SD2589

更新时间： 2024-11-17 22:52:47

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		晶体稳压器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD2589 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	110 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2589 数据手册

Darlington 2 S D2 5 8 9

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1659)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

■Absolute maximum ratings

External Dimensions FM-25(TO220)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

2SD2589

Symbol

Conditions

2SD2589

100max

110min

5000min

2.5max

3.0max

60typ

Unit

µA

Unit

±0.2

4.8

±0.2

10.2

I^CBO

V^CBO

VCEO

VEBO

110

V^CB=110V

±0.1

2.0

IEBO

110

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

V^CE=4V, IC=5A

I^C=5A, IB=5mA

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

±0.2

ø3.75

VCE(sat)

VBE(sat)

50(Tc=25°C)

150

°C

1.35

MHz

COB

55typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

0.65

h^FERank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

2.5

1.4

C E

Weight : Approx 2.6g

a. Type No.

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

IB2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

0.8typ

6.2typ

1.1typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=5A

IC=3A

I^B=0.1mA

0.1

0.5

50 100

2.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

^j-at Characteristics

(VCE=4V)

40000

Typ

10000

5000

10000

5000

1000

500

1000

500

0.5

0.4

200

0.02

100

0.02

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

5 6

0.1

0.5

5 6

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

Without Heatsink

–0.02

–0.1

–1

–6

100

125

150

Emitter Current IE(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

161

中文翻译

下载PDF

与2SD2589相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2589O	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2589O	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2589Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2589Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD259	ETC	获取价格	NPN Transistor
2SD2592L	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3
2SD2592S	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
2SD2598	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)
2SD2598Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-71
2SD2598R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-71

与2SD2589相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2589

2SD2589 技术参数

2SD2589 数据手册

与2SD2589相关器件

与2SD2589相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD2589

2SD2589 技术参数

2SD2589 数据手册

与2SD2589相关器件

与2SD2589相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？