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2SD2589Y

更新时间： 2024-09-26 20:34:19
品牌 Logo 应用领域
急速微 - ALLEGRO 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM25, 3 PIN

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2SD2589Y 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：110 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：15000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

2SD2589Y 数据手册

  
Darlington 2 S D2 5 8 9  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1659)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
External Dimensions FM-25(TO220)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SD2589  
Symbol  
Conditions  
2SD2589  
100max  
100max  
110min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
60typ  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.2  
10.2  
ICBO  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
110  
VCB=110V  
V
±0.1  
2.0  
IEBO  
110  
VEB=5V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
5
IC=30mA  
V
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, IB=5mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
±0.2  
ø3.75  
6
1
A
a
b
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
50(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.35  
MHz  
pF  
Tj  
COB  
55typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.65  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
2.5  
2.5  
1.4  
B
C E  
Weight : Approx 2.6g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
30  
6
5
10  
–5  
5
–5  
0.8typ  
6.2typ  
1.1typ  
–
–
–
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
3
4
2
0
4
2
0
2
IC=5A  
1
IC=3A  
IB=0.1mA  
0
0
2
4
6
0.1  
0.5  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
2.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
θ
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
40000  
40000  
Typ  
10000  
5000  
10000  
5000  
1000  
500  
1
1000  
500  
0.5  
0.4  
200  
0.02  
100  
0.02  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.1  
0.5  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
80  
60  
50  
Typ  
40  
30  
20  
10  
40  
20  
0
Without Heatsink  
2
0
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
161  
1

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