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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2586 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV) |
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| 2SD2586 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD2586 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD2589 | SANKEN |
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose) |
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| 2SD2589O | ALLEGRO |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD2589O | SANKEN |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD2589Y | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD2589Y | SANKEN |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SD259 | ETC |
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NPN Transistor |
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| 2SD2592L | HITACHI |
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Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 |
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