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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3545-P-A
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2SC3545-P-A

更新时间： 2024-11-26 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 99K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC3545-P-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.37
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2000 MHzBase Number Matches：1

2SC3545-P-A 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3545  
UHF OSCILLATOR AND MIXER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
MINI MOLD  
DESCRIPTION  
The 2SC3545 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use as  
UHF oscillator and mixer in a tuner of a TV receiver.  
PACKAGE DIMENSIONS  
(Units: mm)  
The device features stable oscillation and small frequency drift against  
any change of the supply voltage and the ambient temperature.  
It is designed for use in small type equipments especially  
recommended for Hybrid Integrated Circuit and other applications.  
2.8±0.2  
1.5  
+0.1  
−0.15  
0.65  
2
FEATURES  
•
•
•
High Gain Bandwidth Procuct; fT = 2 000 MHz TYP.  
3
1
rb’b = 4 ps TYP.  
Low Collector to Base Time Constant; CC  
Low Feedback Capacitance; Cre = 0.48 pF TYP.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)  
Marking  
Maximum Voltages and Current  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
30  
15  
3.0  
50  
V
V
V
mA  
PIN CONNECTIONS  
Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
Maximum Temperature  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
PT  
150  
mW  
Tj  
125  
C
C
Tstg  
65 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
100  
MAX.  
0.1  
UNIT  
A
TEST CONDITIONS  
ICBO  
VCB = 12 V, IE = 0  
hFE  
50  
250  
0.5  
VCE = 10 V, IC = 5.0 mA  
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA  
VCE = 10 V, IE = 5.0 mA  
Collector Saturation Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
1.3  
2.0  
0.48  
4
Cob  
1.0  
10  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
VCE = 10 V, IE = 5.0 mA, f = 31.9 MHz  
rb’b  
Collector to Base Time Constant  
CC  
ps  
hFE Classification  
Class  
Marking  
hFE  
M/P *  
T42  
L/Q *  
T43  
K/R *  
T44  
50 to 100  
70 to 140  
120 to 250  
* Old Specification / New Specification  
Document No. P10358EJ2V1DS00 (2nd edition)  
Date Published March 1997 N  
Printed in Japan  
©
1984  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3545Q NEC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346
2SC3545-Q NEC

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2SC3545R NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3545-T2BT44 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3547 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV TUNER, UHF OSCILLATOR APPLICATIONS)(COMMON COLLECTOR)

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