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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.35 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3548 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,30MA I(C),MICRO-X |
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| 2SC3549 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3549 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3549 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3550 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3550 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3551 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3552 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT, I(C) = 10A TO 19.9A |
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