2SC3552

更新时间： 2024-11-05 06:18:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3552 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SC3552 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3552

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1100

800

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

150

-55~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SC3553B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAKVAR
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