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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 4800 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3550 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3550 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3551 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3551 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3552 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT, I(C) = 10A TO 19.9A |
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| 2SC3552 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3552 | Wing Shing |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION) |
|
| 2SC3552 | SANYO |
获取价格 |
For Switching Regulators |
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| 2SC3552K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-218VAR |
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