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2SC3551

更新时间： 2024-11-05 06:20:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
4页	233K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3551 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SC3551 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3551

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage ,high speed switching

·High reliability

APPLICATIONS

·Switching regulators

·Ultrasonic generators

·High frequency inverters

·General purpose power amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

900

800

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

1.5

℃/W

12 3 4

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