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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-218 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3552K | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3552L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3552M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3553 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3553B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAKVAR |
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| 2SC3553-B | HITACHI |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SC3553BRF | RENESAS |
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500mA, 35V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SC3553BRR | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SC3553BTZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3553C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAKVAR |
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