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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3549 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3549 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3549 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3550 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3550 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3551 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3552 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) = 10A TO 19.9A |
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| 2SC3552 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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