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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 1.35 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3547BTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
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| 2SC3548 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,30MA I(C),MICRO-X |
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| 2SC3549 | FUJI |
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TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3549 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3549 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3550 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3550 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3551 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3551 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING |
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