2SB1688

更新时间： 2024-11-13 06:19:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管
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描述
Silicon PNP Epitaxial High voltage amplifier

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2SB1688 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1688 数据手册

2SB1688

Silicon PNP Epitaxial

High voltage amplifier

REJ03G0679-0300

(Previous ADE-208-975A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Features

•

High breakdown voltage

_CEO= -300V min

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–300

Unit

–300

–5

–50

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

750

T_j

150

T_stg

–55 to +150

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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