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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1360T114/DF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1360T114/EF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1360T114/F | ROHM |
获取价格 |
5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1360T114D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1360T114F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SB1361 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification) |
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| 2SB1361 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1361 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB1361P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB1361Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-247VAR |
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