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2SB1362P

更新时间： 2024-01-31 17:39:25
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
4页 170K
描述
Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3, 3 PIN

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2SB1362P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3-3L包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.85最大集电极电流 (IC)：9 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SB1362P 数据手册

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Power Transistors  
2SB1362  
Silicon PNP triple diffusion planar type  
For high power amplification  
Complementary to 2SD2053  
Unit: mm  
15.0±0.5  
.0±0.5  
.5  
4.5±0.2  
2.0±0
Features  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collectocur-  
rent IC characteristics  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
High transition frequency fT  
φ3.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =2˚C)  
■
2.0±0.2  
C
1.4±0.3  
0.6±0.2  
1.1±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
O  
ICP  
Rting
–150  
–150  
–5  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
5.45±0.3  
10.9±0.5  
V
V
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
–15  
A
9  
A
EIAJ:SC–65(a)  
TOP–3 Package(a)  
Collector ower =25°C  
10  
PC  
W
dissipation  
Ta=5°C  
2.5  
Junctin teperatre  
Stoge teture  
Tj  
0  
˚C  
˚C  
Tstg  
5 to +150  
Electrical Chaacteristics (T =25˚C)  
■
C
Paramter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
Unit  
µA  
Colleurren
Ent  
VCB = –150V, IE = 0  
VEB = –3V, IC = 0  
CE = –5V, IC = –20mA  
µA  
V
20  
60  
20  
*
Forward cut transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
hFE3  
VBE  
VCE = –5V, IC = –1A  
200  
VCE = –5V, IC = –7A  
VCE = –5V, IC = –7A  
–1.8  
–2.0  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –7A, IB = – 0.7A  
Transition frequency  
fT  
VCE = –5V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
270  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
S
P
60 to 120  
80 to 160  
100 to 200  
1
1234

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