2SB1362

更新时间： 2024-09-30 06:17:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	126K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1362 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1362 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1362

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SD2053

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current -peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-9

I_CM

-15

P_C

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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