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2SB1361

更新时间： 2024-01-18 12:32:49

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	123K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1361 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-92
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	9 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1361 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1361

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Complement to type 2SD2052

·High transition frequency

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For high power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-150

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-9

I_CP

Collector current-peak

-15

T_C=25ꢀ

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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