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2SB1361

更新时间： 2024-11-01 22:52:39
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification)

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2SB1361 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-92
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：9 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SB1361 数据手册

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Power Transistors  
2SB1361  
Silicon PNP triple diffusion planar type  
For high power amplification  
Complementary to 2SD2052  
Unit: mm  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
3.2  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-  
rent IC characteristics  
Wide area of safe operation (ASO)  
High transition frequency fT  
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
●
●
2.0±0.1  
0.6±0.2  
one screw  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
5.45±0.3  
10.9±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–150  
1
2
3
–150  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
–5  
V
–15  
A
TOP–3 Full Pack Package(a)  
IC  
–9  
A
Collector power TC=25°C  
100  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –150V, IE = 0  
VEB = –3V, IC = 0  
µA  
VCE = –5V, IC = –20mA  
VCE = –5V, IC = –1A  
20  
60  
20  
*
Forward current transfer ratio  
hFE2  
hFE3  
VBE  
200  
VCE = –5V, IC = –7A  
Base to emitter voltage  
VCE = –5V, IC = –7A  
–1.8  
–2.0  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –7A, IB = – 0.7A  
Transition frequency  
fT  
VCE = –5V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
270  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
S
P
60 to 120  
80 to 160  
100 to 200  
1
123

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