5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB1361S
2SB1361S PDF预览

2SB1361S

更新时间： 2024-01-18 07:37:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-247VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1361S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-92
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：9 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SB1361S 数据手册

 浏览型号2SB1361S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1361S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1361S的Datasheet PDF文件第4页 
Power Transistors  
2SB1361  
Silicon PNP triple diffusion planar type  
For high power amplification  
Complementary to 2SD2052  
Unit: mm  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
3.2  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-  
rent IC characteristics  
Wide area of safe operation (ASO)  
High transition frequency fT  
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
●
●
2.0±0.1  
0.6±0.2  
one screw  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
5.45±0.3  
10.9±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–150  
1
2
3
–150  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
–5  
V
–15  
A
TOP–3 Full Pack Package(a)  
IC  
–9  
A
Collector power TC=25°C  
100  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –150V, IE = 0  
VEB = –3V, IC = 0  
µA  
VCE = –5V, IC = –20mA  
VCE = –5V, IC = –1A  
20  
60  
20  
*
Forward current transfer ratio  
hFE2  
hFE3  
VBE  
200  
VCE = –5V, IC = –7A  
Base to emitter voltage  
VCE = –5V, IC = –7A  
–1.8  
–2.0  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –7A, IB = – 0.7A  
Transition frequency  
fT  
VCE = –5V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
270  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
S
P
60 to 120  
80 to 160  
100 to 200  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SB1361S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1362 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1362 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1362P PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1362Q PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1362S PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1366 KEC

获取价格

 		2SC3229
2SB1366 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1366 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1366 SWST

获取价格

 		功率三极管
2SB1366F-O MCC

获取价格

 		PNP Silicon Power Transistors

与2SB1361S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证