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2SB1362

更新时间： 2024-01-18 23:14:16

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	139K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1362 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3-3L	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	9 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1362 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1362

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SD2053

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current -peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-9

I_CM

-15

P_C

T_C=25ꢀ

100

ꢀ

T_j

150

T_stg

-55~150

ꢀ

12 3

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