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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA811C7 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA811C7-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA811C8 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA811C8-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA812 | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SA812 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| 2SA812 | TYSEMI |
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High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) High Voltage: VCEO = -50 |
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| 2SA812 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| 2SA812 | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SA812 | NEC |
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AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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