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2SA812AM4

更新时间： 2024-11-06 21:13:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	254K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SA812AM4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA812AM4 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SA812A

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

FEATURES

• Complementary to 2SC1623A

• High DC Current Gain: h^FE= 200 TYP. (VCE = −6.0 V, IC = −1.0

mA)

PACKAGE DRAWING

(Unit: mm)

• High Voltage: V^CEO= −50 V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Total Power Dissipation

Junction Temperature

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^T

T^j

−60

−50

−5.0

−100

200

°C

150

Storage Temperature Range

T^stg

−55 to +150 °C

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

MIN.

TYP.

MAX.

−0.1

600

UNIT

μA

TEST CONDITIONS

VCB = −60 V, IE = 0 A

VEB = −5.0 V, IC = 0 A

VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA^Note

IC = −100 mA, IB = −10 mA

VCE = 6.0 V, IC = −1.0 mA

IEBO

μA

hFE

200

−0.18

−0.62

180

Collector Saturation Voltage

Base to Emitter Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

VCE(sat)

VBE

−0.3

−0.68

−0.58

MHz

VCE = −6.0 V, IE = 10 mA

Cob

4.5

VCB = −10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz

Note Pulsed: PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

200 to 400

hFE

90 to 180

135 to 270

300 to 600

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17840EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published November 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

2005

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA812A-M4	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SA812AM4-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812AM4-T1B	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812AM4-T2B	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812AM5	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SA812AM5-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812AM5-T1B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812AM7-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812A-T2B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
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