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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.08 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA812M4-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| 2SA812-M4-HF | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA812M4-T1B | RENESAS |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA812M4-T1B-A | RENESAS |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA812M4-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA812M4-T2B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| 2SA812M4-TP | MCC |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SA812-M4-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA812M5 | TRSYS |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA812M5 | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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