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2SA812M6

更新时间： 2024-11-24 20:30:07

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RECTRON		/
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2页	288K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA812M6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SA812M6 数据手册

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

2SA812

SEMICONDUCTOR

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES

* Power dissipation

PCM :

0.2

W(Tamb=25^OC)

* Collector current

ICM :

-0.1

* Collector-base voltage

-60

(BR)CBO

SOT-23

* Operating and storage junction temperature range

T ,Tstg: -55^OC to +150^OC

COLLECTOR

MECHANICAL DATA

BASE

0.055(1.40)

Case: Molded plastic

0.047(1.20)

EMITTER

Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

Mounting position: Any

0.006(0.15)

0.003(0.08)

0.043(1.10)

0.035(0.90)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.004(0.10)

0.000(0.00)

Weight: 0.008 gram

0.100(2.55)

0.089(2.25)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

0.019(2.00)

0.071(1.80)

0.118(3.00)

0.110(2.80)

Dimensions in inches and (millimeters)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

CHARACTERISTICS

SYMBOL

MIN

-60

TYP

MAX

UNITS

Collector - Base Breakdown Voltage(IC= -100 µA, IE=0)

V(BR)CBO

Collector - Emitter Breakdown Voltage(IC= -1mA, IB=0)

V(BR)CEO

V(BR)EBO

-50

-5

Emitter - Base Breakdown Voltage(IE= -100 µA, IC=0)

Collector Cut - Off Current (VCB= -60V, IE=0)

Emitter Cut - Off Current(VEB= -5V, IC=0)

µA

ICBO

IEBO

-0.1

DC Current Gain(VCE= -6V, IC= -1mA)

hFE

600

-0.3

Collector - Emitter Saturation Voltage(IC=-100 mA, IB= -10mA)

VCE(sat)

Base - Emitter Voltage(IC=-1mA, VCE= -6mA)

Tiansition Frequency(VCE= -6V, IC= -10mA)

VBE

-0.68

180

MHZ

CLASSIFICATION OF hFE

135-270

Marking

Range

300-600

90-180

200-400

2006-3

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与2SA812M6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA812-M6	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA812-M6	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2SA812M6-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SA812M6-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812M6-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812-M6-HF	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA812M6-T1B	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SA812M6-T1B-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SA812M6-T1B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812M6-T2B	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

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