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2SA812M7-TP

更新时间： 2024-11-20 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 392K
描述
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA812M7-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.09Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

2SA812M7-TP 数据手册

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2SA812-M4  
2SA812-M5  
2SA812-M6  
2SA812-M7  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ High DC Current Gain:90Љ hFEЉ600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA)  
xꢀ High voltage: VCEO=-50V  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Symbol  
A
Rating  
Rating  
-50  
Unit  
V
D
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
C
-60  
V
-5.0  
V
B
C
-100  
mA  
mW  
к
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
200  
TJ  
-55 to +150  
E
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
к
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-60Vdc,IE=0)  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
K
DIMENSIONS  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
hF  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
---  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-100mAdc, IB=-10mAdc)  
Base Emitter Voltage*  
90  
---  
600  
-0.3  
-0.68  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
F
G
H
J
(VCE=-6.0Vdc, IC=-1.0mAdc)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=-6.0Vdc, IE=-10mAdc)  
---  
---  
---  
.085  
.37  
fT  
K
180  
Suggested Solder  
Pad Layout  
CLASSIFICATION OF hFE  
.031  
.800  
Marking  
M4  
M6  
200-400  
M7  
300-600  
M5  
.035  
.900  
Range  
90-180  
135-270  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: C  
2013/10/11  
1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA812R WEITRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA812R3M-A NEC

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