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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA814O | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SA815 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA815 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA815 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA815 | TOSHIBA |
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SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE |
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| 2SA816 | MICRO-ELECTRONICS |
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PNP/NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
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| 2SA816Y | MICRO-ELECTRONICS |
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Transistor, |
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| 2SA817 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA817 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA817_07 | TOSHIBA |
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Audio Frequency Amplifier Applications |
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