2SA812-T1B

更新时间： 2024-11-20 07:29:55

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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4页	300K
描述
AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

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2SA812-T1B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA812-T1B 数据手册

DATA SHEET

^SILICON2^TS^RAA^NS8^IS1^TO2^R

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

PACKAGE DRAWING

FEATURES

• Complementary to 2SC1623

(Unit: mm)

• High DC Current Gain: h^FE= 200 TYP. (VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA) )

• High Voltage: V^CEO= −50 V

2.8 ±±.2

1.5 TYP.

+±.1

–±.15

±.65

QUALITY GRADE

Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Electronics Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Marking

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

−60

−50

−5.0

−100

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

200

T^j

150

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Storage Temperature Range

T^stg

−55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

MIN.

TYP.

MAX.

−0.1

600

UNIT

µA

TEST CONDITIONS

VCB = −60 V, IE = 0 A

VEB = −5.0 V, IC = 0 A

IEBO

µA

hFE

200

−0.18

−0.62

180

VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA^Note

IC = −100 mA, IB = −10 mA

VCE = 6.0 V, IC = −1.0 mA

Collector Saturation Voltage

Base to Emitter Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

VCE(sat)

VBE

−0.3

−0.68

−0.58

MHz

VCE = −6.0 V, IE = 10 mA

Cob

4.5

VCE = −10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz

Note Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

hFE

90 to 180

135 to 270

200 to 400

300 to 600

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17119EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-1479B)

The mark shows major revised points.

Date Published March 2004 N CP(K)

Printed in Japan

1984

12 3 4

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2SA812-T1B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA1037AK	ROHM	功能相似	General Purpose Transistor

与2SA812-T1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA812-T1BM4	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812-T1BM6	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812-T1BM7	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812-T2BM7	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812XLT1	WILLAS	获取价格	General Purpose Transistors
2SA814	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA814	TOSHIBA	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE
2SA814	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA814	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA814	NJSEMI	获取价格	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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