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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA812-T1BM7 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA812-T2BM7 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA812XLT1 | WILLAS |
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General Purpose Transistors |
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| 2SA814 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA814 | TOSHIBA |
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SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE |
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| 2SA814 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA814 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA814 | NJSEMI |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
|
| 2SA814O | ISC |
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暂无描述 |
|
| 2SA815 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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