5秒后页面跳转
2SA812M6-A PDF预览

2SA812M6-A

更新时间: 2024-11-20 21:06:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3

2SA812M6-A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.6最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3/e6元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SA812M6-A 数据手册

 浏览型号2SA812M6-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA812M6-A的Datasheet PDF文件第3页 

与2SA812M6-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA812M6-AT RENESAS

获取价格

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812-M6-HF KEXIN

获取价格

PNP Transistors
2SA812M6-T1B RENESAS

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SA812M6-T1B-A RENESAS

获取价格

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SA812M6-T1B-AT RENESAS

获取价格

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812M6-T2B RENESAS

获取价格

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SA812M6-T2B-A RENESAS

获取价格

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SA812-M6-TP MCC

获取价格

暂无描述
2SA812M6-TP MCC

获取价格

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SA812-M6-TP-HF MCC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,