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2SA812M5-TP

更新时间： 2024-11-21 09:10:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 392K
描述
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA812M5-TP 数据手册

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2SA812-M4  
2SA812-M5  
2SA812-M6  
2SA812-M7  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ High DC Current Gain:90Љ hFEЉ600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA)  
xꢀ High voltage: VCEO=-50V  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Symbol  
A
Rating  
Rating  
-50  
Unit  
V
D
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
C
-60  
V
-5.0  
V
B
C
-100  
mA  
mW  
к
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
200  
TJ  
-55 to +150  
E
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
к
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-60Vdc,IE=0)  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
K
DIMENSIONS  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
hF  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
---  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-100mAdc, IB=-10mAdc)  
Base Emitter Voltage*  
90  
---  
600  
-0.3  
-0.68  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
F
G
H
J
(VCE=-6.0Vdc, IC=-1.0mAdc)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=-6.0Vdc, IE=-10mAdc)  
---  
---  
---  
.085  
.37  
fT  
K
180  
Suggested Solder  
Pad Layout  
CLASSIFICATION OF hFE  
.031  
.800  
Marking  
M4  
M6  
200-400  
M7  
300-600  
M5  
.035  
.900  
Range  
90-180  
135-270  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: C  
2013/10/11  
1 of 4  
1234

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与2SA812M5-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA812-M5-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA812M6 RECTRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812-M6 MCC

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA812-M6 YANGJIE

获取价格

 		SOT-23
2SA812M6-A RENESAS

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SA812M6-A NEC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812M6-AT RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812-M6-HF KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA812M6-T1B RENESAS

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SA812M6-T1B-A RENESAS

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

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