Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA812-M5-TP-HF

2SA812-M5-TP-HF

更新时间： 2024-11-24 12:58:31

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	199K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA812-M5-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA812-M5-TP-HF 数据手册

2SA812-M4

2SA812-M5

2SA812-M6

2SA812-M7

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

xꢀ High DC Current Gain:90Љ h_FEЉ600.(V_CE=-6.0V, I_C=-1mA)

xꢀ High voltage: V_CEO=-50V

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

-50

Unit

-60

-5.0

-100

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

200

T_J

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc,I_E=0)

---

-0.1

uAdc

DIMENSIONS

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

INCHES

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

ON CHARACTERISTICS

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

h_F

V_CE(sat)

V_BE

DC Current Gain*

---

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector Saturation Voltage*

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

Base Emitter Voltage*

---

600

-0.3

-0.68

---

Vdc

MHz

(V_CE=-6.0Vdc, I_C=-1.0mAdc)

Gain Bandwidth product

(V_CE=-6.0Vdc, I_E=-10mAdc)

---

.085

.37

f_T

180

Suggested Solder

Pad Layout

CLASSIFICATION OF hFE

.031

.800

Marking

200-400

300-600

.035

.900

Range

90-180

135-270

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2SA812-M5-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA812M6	RECTRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812-M6	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA812-M6	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2SA812M6-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SA812M6-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
2SA812M6-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SA812-M6-HF	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA812M6-T1B	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
2SA812M6-T1B-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SA812M6-T1B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346

与2SA812-M5-TP-HF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA812-M5-TP-HF

2SA812-M5-TP-HF 技术参数

2SA812-M5-TP-HF 数据手册

与2SA812-M5-TP-HF相关器件

与2SA812-M5-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA812-M5-TP-HF

2SA812-M5-TP-HF 技术参数

2SA812-M5-TP-HF 数据手册

与2SA812-M5-TP-HF相关器件

与2SA812-M5-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？