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2SA812

更新时间： 2024-11-06 06:16:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 290K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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2SA812 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.17最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：90JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

2SA812 数据手册

 浏览型号2SA812的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
2SA812  
SEMICONDUCTOR  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.2  
W(Tamb=25OC)  
* Collector current  
ICM :  
-0.1  
A
* Collector-base voltage  
-60  
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
1
MECHANICAL DATA  
BASE  
0.055(1.40)  
Case: Molded plastic  
*
*
*
*
2
0.047(1.20)  
EMITTER  
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
-60  
TYP  
-
MAX  
-
UNITS  
Collector - Base Breakdown Voltage(IC= -100 µA, IE=0)  
V(BR)CBO  
V
V
Collector - Emitter Breakdown Voltage(IC= -1mA, IB=0)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-50  
-5  
-
-
-
-
Emitter - Base Breakdown Voltage(IE= -100 µA, IC=0)  
Collector Cut - Off Current (VCB= -60V, IE=0)  
Emitter Cut - Off Current(VEB= -5V, IC=0)  
V
µA  
µA  
ICBO  
IEBO  
-
-
-
-
-0.1  
-0.1  
DC Current Gain(VCE= -6V, IC= -1mA)  
hFE  
90  
-
-
-
600  
-0.3  
-
Collector - Emitter Saturation Voltage(IC=-100 mA, IB= -10mA)  
VCE(sat)  
V
Base - Emitter Voltage(IC=-1mA, VCE= -6mA)  
Tiansition Frequency(VCE= -6V, IC= -10mA)  
VBE  
-
-
-
-0.68  
-
V
180  
MHZ  
f
T
CLASSIFICATION OF hFE  
M5  
135-270  
Marking  
Range  
M4  
M7  
300-600  
M6  
90-180  
200-400  
2006-3  
12

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