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2SA2163

更新时间： 2024-11-14 21:18:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	330K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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2SA2163 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2163 数据手册

Transistors

2SA2163

Silicon PNP epitaxial planar type

For high frequency ampliﬁcation

Unit: mm

 Features



High transition frequency f_T



Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for

Ultraminiature leadless package

0.6 mm

1.0 mm (height 0.39 mm)

+0.01

0.39

1.00±0.05

−0.03

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

0.25±0.05

^0.25±0.051

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−

Unit

−

0.65±0.01

0.05±0.03

−

1: Base

2: Emitter

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

100

3: Collector

ML3-N2 Package

T_j

125

Marking Symbol: 6J

Storage temperature

stg

−

55 to +125

 Electrical Characteristics T_a= 25

C±3

Parameter

Base-emitter voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_BE

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE

−

10 V, I_C

−

1 mA

V_CB

−

10 V, I_E= 0

−

0.7

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

−

0.1

−

100

−

µA



V_CE

−

20 V, I_B= 0

V_EB

−

5 V, I_C= 0

V_CE

−

10 V, I_C−1 mA

220

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C

−

10 mA, I_B

−

1 mA

−

0.1

300

2.8

f_T

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Ω

Noise ﬁgure

Z_rb

C_re

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 5 MHz

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 2 MHz

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 10.7 MHz

4.0

Reverse transfer impedance

Reversetransfercapacitance(Commonemitter)

1.2

2.0

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: May 2005

SJC00336AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA2166_08	ISAHAYA	获取价格	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
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