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2SA2186

更新时间： 2024-11-14 03:56:27
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

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2SA2186 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.52Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：420 MHzBase Number Matches：1

2SA2186 数据手册

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Ordering number : ENA0269  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SA2186  
High-Current Switching Applications  
Applications  
•
Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.  
Features  
• Adoption of MBIT processes.  
•
High current capacity.  
• Low collector-to-emitter saturation voltage.  
• High-speed switching.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--50  
--50  
-- 6  
V
V
I
-- 2  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
-- 4  
A
CP  
I
B
--400  
0.9  
150  
mA  
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
C
Tj  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=--40V, I =0A  
Unit  
min  
max  
I
V
V
V
V
V
V
--1  
--1  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
=--4V, I =0A  
C
EBO  
h
h
1
2
=--2V, I =--100mA  
200  
40  
560  
FE  
FE  
C
DC Current Gain  
=--2V, I =--1.5A  
C
Gain-Bandwidth Product  
f
T
=--10V, I =--300mA  
C
420  
MHz  
pF  
V
Output Capacitance  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
16  
--0.22  
--0.9  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitterr Saturation Voltage  
V
V
(sat)  
I
C
I
C
=--1A, I =--50mA  
--0.43  
--1.2  
CE  
B
(sat)  
=--1A, I =--50mA  
V
BE  
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
D2805EA MS IM TB-00001911  
No. A0269-1/4  
1234

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与2SA2186相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2186-AN ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMP
2SA2188 ISAHAYA

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 		FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA2188E ISAHAYA

获取价格

 		Transistor
2SA2188F ISAHAYA

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 		Transistor
2SA2188G ISAHAYA

获取价格

 		Transistor
2SA2190 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-10U1A, SC-67, 3 PIN, BIP Ge
2SA2192 SANYO

获取价格

 		PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SA2192(TP) ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,10A I(C),TO-251VAR
2SA2192(TP-FA) ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252VAR
2SA2193 ISAHAYA

获取价格

 		FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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