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2SA2192(TP-FA)

更新时间： 2024-11-15 03:07:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252VAR

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2SA2192(TP-FA) 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：10 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：200
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

2SA2192(TP-FA) 数据手册

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Ordering number : ENA0307  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SA2192  
High-Current Switching Applications  
Applications  
•
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.  
Features  
• Adoption of MBIT process.  
•
Large current capacitance.  
• Low collector-to-emitter saturation voltage.  
• High-speed switching.  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
--50  
--50  
--50  
-- 8  
CBO  
V
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
V
V
I
--10  
--13  
-- 2  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
PW≤100µs  
Tc=25°C  
A
CP  
I
B
A
0.95  
20  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=--40V, I =0A  
Unit  
min  
max  
--10  
--10  
560  
I
V
V
V
V
V
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
=--4V, I =0A  
C
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
=--2V, I =--1A  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--5V, I =--1A  
C
130  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
90  
--290  
--0.93  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitterr Saturation Voltage  
V
V
(sat)  
I
C
=--5A, I =--250mA  
--580  
-- 1.4  
mV  
V
CE  
B
(sat)  
I
C
=--5A, I =--250mA  
BE  
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
42506EA MS IM TB-00002245 No. A0307-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2193 ISAHAYA

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 		FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SA2195 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 1700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UFM, 2-2U1A, 3 PIN, BIP Genera
2SA2195(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,1.7A I(C),SC-70VAR
2SA2195,LXGF(T TOSHIBA

获取价格

 		1700mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2196 SANYO

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 		PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
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