是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 550 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 5 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 1 W | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 27 MHz | VCEsat-Max: | 0.7 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA2186 | SANYO | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
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2SA2186-AN | ONSEMI | Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMP |
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2SA2188 | ISAHAYA | FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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2SA2188E | ISAHAYA | Transistor |
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2SA2188F | ISAHAYA | Transistor |
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2SA2188G | ISAHAYA | Transistor |
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