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2SA2161G

更新时间： 2024-11-14 19:09:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	223K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA2161G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2161G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA2161G

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Complementary to 2SC6037G

■ Features

■ Package

• Code

SSMini3-F3

• Marking Symbol: 2U

• Pin Name

1. Base

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2. Emitter

3. Collector

Parameter

Symbol

Rating

−15

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−12

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−500

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

125

°C

125

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−15

−12

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −15 V, I_E= 0

V_CE= −2 V, I_C= −10 mA

− 0.1

680

µA



h_FE

270

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −200 mA, I_B= −10 mA

−250

MHz

f_T

V_CB= −2 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

4.5

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: May 2007

SJC00383AED

12 3 4

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与2SA2161G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA2161J	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89,
2SA2162	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
2SA2163	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X
2SA2164	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification
2SA2166	ISAHAYA	获取价格	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA2166_08	ISAHAYA	获取价格	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA2166_10	ISAHAYA	获取价格	FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA2167	ISAHAYA	获取价格	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA2168	SANYO	获取价格	2SA2168
2SA2169	SANYO	获取价格	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

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