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2SA1955FV

更新时间： 2024-09-15 07:29:47

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关放大器小信号双极晶体管光电二极管
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5页	219K
描述
General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application

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2SA1955FV 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1955FV 数据手册

2SA1955FV

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1955FV

General Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Switching and Muting Switch Application

1.2±0.05

0.8±0.05

•

Low saturation voltage: V

(1) = −15 mV (typ.)

CE (sat)

@I = −10 mA/I = −0.5 mA

Large collector current: I = −400 mA (max)

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−15

−12

CBO

CEO

EBO

−5

−400

−50

°C

1.BASE

VESM

2.EMITTER

3.COLLECTOR

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

150 *

150

JEDEC

―

Storage temperature range

−55~150

stg

JEITA

* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)

TOSHIBA

2-1L1A

Weight: 0.0015g (typ.)

0.5mm

0.45mm

0.4mm

Marking

2004-06-07

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1955FV-A	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
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2SA1961	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
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