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2SA1962OTU

更新时间： 2024-01-15 16:12:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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6页	215K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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2SA1962OTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1962OTU 数据手册

March 2008

2SA1962/FJA4213

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Applications

•

High-Fidelity Audio Output Amplifier

General Purpose Power Amplifier

Features

•

High Current Capability: I_C= -15A

High Power Dissipation : 130watts

High Frequency : 30MHz.

High Voltage : V_CEO= -230V

Wide S.O.A for reliable operation.

Excellent Gain Linearity for low THD.

Complement to 2SC5242/FJA4313.

Thermal and electrical Spice models are available.

Same transistor is also available in:

-- TO264 package, 2SA1943/FJL4215 : 150 watts

-- TO220 package, FJP1943 : 80 watts

-- TO220F package, FJPF1943 : 50 watts

TO-3P

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings*

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

-230

-5

Units

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-15

I_B

Base Current

-1.5

P_D

Total Device Dissipation(T_C=25°C)

Derate above 25°C

130

1.04

W/°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature

- 50 ~ +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

0.96

°C/W

* Device mounted on minimum pad size

Classification

h_FE1

55 ~ 110

80 ~ 160

2SA1962/FJA4213 Rev. A2

www.fairchildsemi.com

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与2SA1962OTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1962R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 230V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SA1962-R	TOSHIBA	TRANSISTOR 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow	获取价格
2SA1962R(Q)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,PNP,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR	获取价格
2SA1962RTU	FAIRCHILD	PNP Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
2SA1962RTU	ONSEMI	PNP外延硅晶体管	获取价格
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