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2SA1965

更新时间: 2024-01-26 20:33:26
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
2页 151K
描述
TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SA1965 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:0.035 VBase Number Matches:1

2SA1965 数据手册

 浏览型号2SA1965的Datasheet PDF文件第2页 

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