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2SA1977-FB-A

更新时间： 2024-01-19 08:33:09
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC ISM频段开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 58K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP

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2SA1977-FB-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8500 MHz

2SA1977-FB-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
Silicon Transistor  
2SA1977  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
MICROWAVE AMPLIFIER  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSION (in millimeters)  
+_  
2.8 0.2  
•
High fT  
+0.1  
fT = 8.5 GHz TYP.  
1.5  
0.65  
–0.15  
•
High gain  
| S21e  
|
2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 8 V, IC = 20 mA  
− −  
•
•
High-speed switching characterstics  
2
1
Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCB0  
VCE0  
VEB0  
IC  
Rating  
−20  
Unit  
V
Marking  
−12  
V
−3.0  
V
−50  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
Tj  
150  
PIN CONNECTIONS  
1: Emitter  
Tstg  
−65 to +150  
2: Base  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
3: Collector Marking; T92  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICB0  
IEB0  
hFE  
Test Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
−0.1  
−0.1  
100  
Unit  
VCB = −10 V  
µA  
µA  
VEB = −1 V  
VCE = −8 V, IC = −20 mA  
20  
Gain Bandwidth Product  
Collector Capacitance  
Insertion Power Gain  
Noise Figure  
fT  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1 GHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = −8 V, IC = −3 mA, f = 1 GHz  
6.0  
8.5  
0.5  
GHz  
pF  
Cre*  
1
3
2
| S21e  
NF  
|
8.0  
12.0  
1.5  
dB  
dB  
*
Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.  
hFE Classification  
Rank  
Marking  
hFE  
FB  
T92  
20 to 100  
Document No. P10925EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 1996 P  
Printed in Japan  
©
1996  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1977G-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1977-L-A RENESAS

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 		2SA1977-L-A
2SA1977L-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1978 NEC

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 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978 KEXIN

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 		PNP Eitaxial Silicon Transistor
2SA1978 RENESAS

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978 TYSEMI

获取价格

 		High gain |S21e|2=10.0dB TYP.f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA
2SA1978(NE97833) NEC

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 		Discrete
2SA1978FB RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1978-FB NEC

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 		暂无描述

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