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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SA1977-FB
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2SA1977-FB

更新时间： 2024-02-04 02:22:54
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体微波放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 59K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP

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2SA1977-FB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.82
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8500 MHzBase Number Matches：1

2SA1977-FB 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
Silicon Transistor  
2SA1977  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
MICROWAVE AMPLIFIER  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSION (in millimeters)  
+_  
2.8 0.2  
•
High fT  
+0.1  
fT = 8.5 GHz TYP.  
1.5  
0.65  
–0.15  
•
High gain  
| S21e  
|
2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 8 V, IC = 20 mA  
− −  
•
•
High-speed switching characterstics  
2
1
Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCB0  
VCE0  
VEB0  
IC  
Rating  
−20  
Unit  
V
Marking  
−12  
V
−3.0  
V
−50  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
Tj  
150  
PIN CONNECTIONS  
1: Emitter  
Tstg  
−65 to +150  
2: Base  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
3: Collector Marking; T92  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICB0  
IEB0  
hFE  
Test Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
−0.1  
−0.1  
100  
Unit  
VCB = −10 V  
µA  
µA  
VEB = −1 V  
VCE = −8 V, IC = −20 mA  
20  
Gain Bandwidth Product  
Collector Capacitance  
Insertion Power Gain  
Noise Figure  
fT  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1 GHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = −8 V, IC = −3 mA, f = 1 GHz  
6.0  
8.5  
0.5  
GHz  
pF  
Cre*  
1
3
2
| S21e  
NF  
|
8.0  
12.0  
1.5  
dB  
dB  
*
Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.  
hFE Classification  
Rank  
Marking  
hFE  
FB  
T92  
20 to 100  
Document No. P10925EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 1996 P  
Printed in Japan  
©
1996  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1977-FB-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SA1977G-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1977-L-A RENESAS

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 		2SA1977-L-A
2SA1977L-AE3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1978 NEC

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 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978 KEXIN

获取价格

 		PNP Eitaxial Silicon Transistor
2SA1978 RENESAS

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978 TYSEMI

获取价格

 		High gain |S21e|2=10.0dB TYP.f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA
2SA1978(NE97833) NEC

获取价格

 		Discrete
2SA1978FB RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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