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2SA1977FB

更新时间： 2024-11-25 21:15:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
12页 60K
描述
UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SA1977FB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8500 MHz
Base Number Matches：1

2SA1977FB 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
Silicon Transistor  
2SA1977  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
MICROWAVE AMPLIFIER  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSION (in millimeters)  
+_  
2.8 0.2  
•
High fT  
+0.1  
fT = 8.5 GHz TYP.  
1.5  
0.65  
–0.15  
•
High gain  
| S21e  
|
2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 8 V, IC = 20 mA  
− −  
•
•
High-speed switching characterstics  
2
1
Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCB0  
VCE0  
VEB0  
IC  
Rating  
−20  
Unit  
V
Marking  
−12  
V
−3.0  
V
−50  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
Tj  
150  
PIN CONNECTIONS  
1: Emitter  
Tstg  
−65 to +150  
2: Base  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
3: Collector Marking; T92  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICB0  
IEB0  
hFE  
Test Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
−0.1  
−0.1  
100  
Unit  
VCB = −10 V  
µA  
µA  
VEB = −1 V  
VCE = −8 V, IC = −20 mA  
20  
Gain Bandwidth Product  
Collector Capacitance  
Insertion Power Gain  
Noise Figure  
fT  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1 GHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
VCE = −8 V, IC = −20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = −8 V, IC = −3 mA, f = 1 GHz  
6.0  
8.5  
0.5  
GHz  
pF  
Cre*  
1
3
2
| S21e  
NF  
|
8.0  
12.0  
1.5  
dB  
dB  
*
Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.  
hFE Classification  
Rank  
Marking  
hFE  
FB  
T92  
20 to 100  
Document No. P10925EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 1996 P  
Printed in Japan  
©
1996  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1977-FB NEC

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 		2SA1977-L-A
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2SA1978 RENESAS

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 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978 TYSEMI

获取价格

 		High gain |S21e|2=10.0dB TYP.f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA
2SA1978(NE97833) NEC

获取价格

 		Discrete

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