Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SA1978-FB-A

2SA1978-FB-A

更新时间： 2024-02-04 13:56:54

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体微波放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	61K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP

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2SA1978-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1978-FB-A 数据手册

DATA SHEET

PRELIMINARY DATA SHEET

Silicon Transistor

2SA1978

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MICROWAVE AMPLIFIER

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

High f_T

(in milimeters)

2.8 0.2

f_T= 5.5 GHz TYP.

| S_21e

²= 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V_CE= 10 V, I_C= 15 mA

+0.1

•

−

1.5

0.65

–0.15

High speed switching characteristics

Equivalent NPN transistor is the 2SC2351.

Alternative of the 2SA1424.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CB0

V_CE0

V_EB0

I_C

Rating

−20

Unit

Marking

−12

−3.0

−50

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_T

200

T_i

150

T_stg

−65 to +150

PIN CONNECTIONS

1: Emitter

2: Base

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C)

3: Collector Marking: T93

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CB0

I_EB0

h_FE

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

−0.1

100

Unit

µA

V_CB= −10 V

V_EB= −2 V

µA

V_CE= −10 V, I_C= −15 mA

5.5

0.5

10.0

2.0

Gain Bandwidth Product

Collector Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

f_T

4.0

GHz

C_re

V_CB

−

10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

| S_21e

V_CE= −10 V, I_C= −15 mA, f = 1.0 GHz

V_CE= −10 V, I_C= −3.0 mA, f = 1 GHz

8.0

Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.

h_FEClassification

Rank

Marking

h_FE

T93

20 to 100

Document No. P11028EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1979	AUK	PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)	获取价格
2SA1979	KODENSHI	Medium power amplifier	获取价格
2SA1979M	KODENSHI	Medium power amplifier	获取价格
2SA1979M	AUK	PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)	获取价格
2SA1979M-O	KODENSHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,	获取价格