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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 17 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1962-O | TOSHIBA | Power Amplifier Applications |
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| 2SA1962O(Q) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR |
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| 2SA1962OTU | FAIRCHILD | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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| 2SA1962OTU | ONSEMI | PNP外延硅晶体管 |
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| 2SA1962R | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SA1962-R | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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