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2SA1958

更新时间： 2024-02-23 22:51:58

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2SA1958 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.44
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	500 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1958 数据手册

2SA1958

Silicon PNP Epitaxial

Application

TO–126FM

High frequency amplifier

Features

• Excellent high frequency characteristics

f = 500 MHz typ

• High voltage and low output capacitance

= -150 V, Cob = 5.0 pF typ

CEO

• Suitable for wide band video amplifier

• Complementary pair with 2SC5120

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Collector to base voltage

–150

CBO

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter voltage

–150

CEO

———————————————————————————————————————————

Emitter to base voltage

–3

EBO

———————————————————————————————————————————

Collector current

–0.2

———————————————————————————————————————————

Collector peak current

ic(peak)

–0.4

———————————————————————————————————————————

Collector power dissipation

1.4

—————

8*¹

———————————————————————————————————————————

Junction temperature

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

Note: 1. Tc = 25°C

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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