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2SA1961P

更新时间： 2024-01-29 08:17:02

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT2, 3 PIN

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2SA1961P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1961P 数据手册

Transistor

2SA1961

Silicon PNP epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SC5419

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

0.65 max.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–200

–5

Unit

2.5±0.5 2.5±0.5

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

– 0.1

–70

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

I_C

˚C

the upper figure, the 3:Base

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

1.2±0.1

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

I_C= –100µA, I_B= 0

min

–200

–5

typ

max

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_EBO

I_E= –1µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –5mA

I_C= –50mA, I_B= –5mA

V_CB= –5V, I_E= 10mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

–

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

–2.5

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

Rank classification

Rank

h_FE

30 ~ 100

60 ~ 150

12 3

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