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2N7336PBF

更新时间: 2024-10-28 12:58:43
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 444K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB

2N7336PBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-CDIP-T14Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):75 mJ配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:0.7 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-036ABJESD-30 代码:R-CDIP-T14
元件数量:4端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):4 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7336PBF 数据手册

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IRFG6110  
N-Channel  
G1,G3  
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+VDD  
-
VGS  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
10%  
V
GS  
t
t
t
t
f
d(on)  
r
d(off)  
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
CaseTemperature  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
Fig11. MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Ambient  
6
www.irf.com  

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