2N7336PBF

更新时间： 2024-01-08 10:42:39

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12页	444K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB

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2N7336PBF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFG6110

N-Channel

G1,G3

13a&b

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-SourceVoltage

Drain-to-SourceVoltage

OPERATION IN THIS AREA LIMITED

BY R (on)

1ms

10ms

0.1

Tc = 25°C

Tj = 150°C

Single Pulse

0.01

0.1

100

1000

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

ForwardVoltage

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N735	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18	获取价格
2N735A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18	获取价格
2N736	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18	获取价格
2N7368	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal	获取价格
2N7368JAN	MICROSEMI	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N7368JANTX	MICROSEMI	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格