2N7336PBF

更新时间： 2024-01-18 10:43:34

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12页	444K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB

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2N7336PBF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFG6110

N-Channel

G1,G3

15V

DRIVER

D.U.T

2V0V_GS

0.01Ω

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. Drain Current

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

Fig12b. UnclampedInductiveWaveforms

50KΩ

10V

12V

.2µF

.3µF

10 V

D.U.T.

10V

3mA

Charge

Current Sampling Resistors

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N735	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N735A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N736	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N7368	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal
2N7368JAN	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7368JANTX	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7368JANTXV	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7369	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7369JAN	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7369JANTX	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR