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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N7370 | MICROSEMI |
类似代替  |
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N7370 | MICROSEMI |
类似代替 |
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7370E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N7371 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N7371 | NJSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N7371E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N7372 | MICROSEMI |
获取价格 |
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages |
|
| 2N7372_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N7373 | MICROSEMI |
获取价格 |
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages |
|
| 2N7373_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N7374 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
|
| 2N7374E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
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